快科技 1 月 5 日音讯，据韩国朝鲜日报报导，三星 DS 部门存储业务部最近完成了 HBM4 内存的逻辑芯片想象。Foundry 业务部方面也依然把柄该想象，弃取 4nm 试产。 待完成逻辑芯片最终性能考据后，三星将提供 HBM4 样品考据。

逻辑芯片即 Logic die（别名 Base die），对 HBM 堆叠默契大脑作用，清雅截止上方多层 DRAM 芯片。

报导援用韩国阛阓东说念主士说法，运行时发烧是 HBM 的最大敌东说念主，而在堆栈合座中逻辑芯片更是发烧大户，采先进制程有助改善 HBM4 能效与性能默契。

除自家 4nm 制造逻辑芯片外，HBM4 还导入 10nm 制程出产 DRAM。

HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要行使于高性能计较（HPC）、东说念主工智能（AI）和图形科罚（GPU）等鸿沟。

HBM 的优点在于繁芜了内存带宽及功耗瓶颈。其中枢上风在于弃取了 3D 堆叠技能，将多个 DRAM 芯片垂直堆叠在沿途，通过硅通孔（TSV）技能斥逐芯片间的高速信号传输，大大缩小了数据传输的距离和延伸，从而大致以极高的带宽为科罚器提供数据相沿。

HBM 特色尤其适合搭配 GPU 进行密集数据的科罚运算。英伟达新一代 AI 芯片，均搭载 HBM 内存。

HBM 居品问世于今，HBM 技能依然发展至第六代，别离为 HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3 的推广版块）以及 HBM4。

HBM1 行动最早的版块，带来了 128GB/s 的带宽，开启了高带宽内存的行使。随后，HBM2、HBM3 等接踵问世，每一代齐在带宽、容量和能效等要道方针上斥逐了显赫突破。

从业界数据来看，HBM4 轨范相沿 2048 位接口和 6.4GT/s 的数据传输速度。比拟 HBM3E，HBM4 的单个堆栈带宽已达到 1.6TB/s，极地面提高了内存系统的数据微辞才智，大致更高效地满足东说念主工智能、深度学习、大数据科罚和高性能计较等鸿沟对内存性能日益苛刻的需求。

HBM 供应商在各代居品中往往会推出不同堆栈层数的居品，如 HBM3e 的 8hi（8 层）及 12hi（12 层），而 HBM4 世代则蓄意了 12hi 及 16hi。

旧年 11 月，三星电子存储部门现实副总裁 Jaejune Kim 在第三季度财报公布后召开的电话会议上示意，本年三季度 HBM 总销售额环比增长跳跃 70%，HBM3E 8 层和 12 层堆叠居品均已量产并开动销售，HBM3E 的销售占比已高潮至 HBM 总销售额的 10% 足下，瞻望第四季度 HBM3E 将占 HBM 销售额的 50% 足下。

三星的 HBM4 建造责任正在按筹谋进行，标的是在 2025 年下半年开动量产。